• Platform for Everything Technical
  • Hitra dostava
  • Velika izbira
  • Zagotovljena pravica do vračila

MOSFET Fairchild Semiconductor FDP22N50N 1 N-kanal 312.5 W TO-220-3

Slika je simbolična
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220-3
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
312.5 W
R(DS)(on)
220 mΩ
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Dostava tor.,24.11.

840 kos - zaloga Nemčija

Število
Min.: 10
Večkratni: 10
Skupaj (4,29 € / Kos)
4,29 €
pravd.Tax.Untaxed z DDV 
poštnina ni vključena 5,95 € 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
brez nadaljnjih stroškov pošiljanja 
Vključena je 14-dnevna politika vračila

Poudarki in podrobnosti

ON Semiconductor FDP22N50N MOSFET 1 N-kanal 312.5 W TO-220-3

Dodatne informacije

Tehnične specifikacije

Vrsta

FDP22N50N

Vrsta izdelka

MOSFET

Ohišje

TO-220-3

Proizvajalec

ON Semiconductor

Proizvajalec

OnS

Izvedba

N-kanal

I(d)

22 A

U

500 V

Moč (maks.) P(TOT)

312.5 W

R(DS)(on)

220 mΩ

R(DS) nazivni tok

11 A

R(DS) referenčna napetost

10 V

U(GS)(th) maks.

5 V

U(GS) (th) referenčni tok maks.

250 µA

Q(G)

65 nC

Q(G) referenčna napetost

10 V

C(ISS)

3200 pF

C(ISS) referenčna napetost

25 V

Delovna temperatura min.

-55 °C

Način montaže

luknja za skoznik

Serija

UniFET™

Delovna temperatura (maks.)

+150 °C

Značilnost tranzistorja

standardni

U(DSS)

500 V

Kanali

1

Vsebina

1 kos

Dokumenti in prenosi

Navodila za uporabo in varnost

Navodila za uporabo in varnost 1263798 MOSFET Fairchild Semiconductor FDP22N50N 1 N-kanal 312.5 W TO-220-3

Opis

Obseg dostave

  • MOSFET Fairchild Semiconductor FDP22N50N 1 N-kanal 312.5 W TO-220-3

Pogosto kupljeno skupaj

(*Vse informacije so plus pravni DDV)
Skupni znesek:

46,05 €*

Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?

Dodatki

(*Vse informacije so plus pravni DDV)

Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano

Zanimivi izdelki

(*Vse informacije so plus pravni DDV)