Slika je simbolična
ON Semiconductor FDC3512 MOSFET 1 N-kanal 800 mW SOT-23-6
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOT-23-6
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
800 mW
R(DS)(on)
77 mΩ
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Skupaj (0,88 € / Kos)
2,79 €
-68 %
0,88 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
ON Semiconductor FDC3512 MOSFET 1 N-kanal 800 mW SOT-23-6
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
FDC3512
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SOT-23-6
- Proizvajalec
ON Semiconductor
- Proizvajalec
OnS
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
3 A
- U
80 V
- Moč (maks.) P(TOT)
800 mW
- R(DS)(on)
77 mΩ
- R(DS) nazivni tok
3 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
18 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
634 pF
- C(ISS) referenčna napetost
40 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Serija
PowerTrench®
- Delovna temperatura (maks.)
+150 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
80 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 1263334 ON Semiconductor FDC3512 MOSFET 1 N-kanal 800 mW SOT-23-6
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Fairchild Semiconductor FDC3512 1 N-kanal 800 mW SOT-23-6
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
