Infineon Technologies IRF3205SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
D2PAK
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
0.008 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
17 kos - zaloga Nemčija
Število
Skupaj (2,29 € / Kos)
2,29 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
INFI SMD napajalni MOSFET-ji posneti IRF_
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF3205SPBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
D2PAK
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
110 A
- U
55 V
- Moč (maks.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
0.008 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- UKCA
da
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026223 Infineon Technologies IRF3205SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026223 Infineon Technologies IRF3205SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
