Slika je simbolična
Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 N-kanal 260 W TO-220AB
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220AB
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
260 W
R(DS)(on)
15 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Skupaj (4,29 € / Kos)
4,29 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 N-kanal 260 W TO-220AB
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF8010PBF
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220AB
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
80 A
- U
100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
260 W
- R(DS)(on)
15 mΩ
- R(DS) nazivni tok
45 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
120 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
3830 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
100 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 564010 Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 N-kanal 260 W TO-220AB
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 564010 Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 N-kanal 260 W TO-220AB
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRF8010PBF 1 N-kanal 260 W TO-220AB
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
