
Slika je simbolična
IRF1010E
MOSFET
TO-220
Infineon Technologies
INF
N-kanal
84 A
60 V
200 W
12 mΩ
50 A
10 V
4 V
250 µA
130 nC
10 V
3210 pF
25 V
-55 °C
luknja za skoznik
HEXFET®
+175 °C
standardni
60 V
1
1 kos
Tehnični podatki 162358 Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220
Navodila za uporabo in varnost 162358 Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220
15,51 €*
Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano