Slika je simbolična
MOSFET Vishay SI2308BDS-T1-GE3 1 N-kanal 1.66 W SOT-23-3
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOT-23-3
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
1.66 W
R(DS)(on)
156 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Skupaj (0,66 € / Kos)
0,66 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
SI2308BDS-T1-GE3
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SOT-23-3
- Proizvajalec
Vishay
- Proizvajalec
VIS
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
2.3 A
- U
60 V
- Moč (maks.) P(TOT)
1.66 W
- R(DS)(on)
156 mΩ
- R(DS) nazivni tok
1.9 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
3 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
6.8 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
190 pF
- C(ISS) referenčna napetost
30 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Serija
TrenchFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+150 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
60 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 597300 MOSFET Vishay SI2308BDS-T1-GE3 1 N-kanal 1.66 W SOT-23-3
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 597300 MOSFET Vishay SI2308BDS-T1-GE3 1 N-kanal 1.66 W SOT-23-3
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Vishay SI2308BDS-T1-GE3 1 N-kanal 1.66 W SOT-23-3
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
